激励计划 - 2025年4月17日公告，监事会审核2022年限制性股票激励计划第三个归属期归属名单[2][4] - 拟归属激励对象883名，主体资格合法有效，归属条件已成就[2] - 对应限制性股票归属数量为80.7488万股[2]

中微半导体设备（上海）股份有限公司监事会 关于 2024 年限制性股票激励计划 第一个归属期归属名单的核查意见 中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称"公司"）监事会依据《中 华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）、《中华人民共和国证券法》（以 下简称"《证券法》"）、《上市公司股权激励管理办法》（以下简称"《管理办法》"）、 《上海证券交易所科创板股票上市规则》（以下简称"《上市规则》"）和《中微 半导体设备（上海）股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"）等有关规 定，对公司 2024 年限制性股票激励计划（以下简称"本次激励计划"）第一个归 属期归属名单进行审核，发表核查意见如下： 中微半导体设备（上海）股份有限公司监事会 2025 年 4 月 17 日 1 本次拟归属的 1651 名激励对象符合《公司法》《证券法》等法律、法规和规 范性文件以及《公司章程》规定的任职资格，符合《管理办法》《上市规则》等 法律、法规和规范性文件规定的激励对象条件，符合本次激励计划规定的激励对 象范围，其作为公司本次限制性股票激励计划激励对象的主体资格合法、有效， 激励对象获授限制性股票的归属条件已成就。 ...

一、董事会会议召开情况 中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称"中微公司"或"公司"）于 2025 年 4 月 17 日召开了第三届董事会第二次会议（以下简称"本次会议"）。本次 会议的通知于 2025 年 4 月 8 日通过邮件方式送达全体董事。会议应出席董事 9 人，实际到会董事 9 人，会议由公司董事长尹志尧先生主持。会议的召集和召开 程序符合有关法律、行政法规、部门规章、规范性文件和公司章程的规定。会议 决议合法、有效。 证券代码：688012 证券简称:中微公司 公告编号：2025-010 中微半导体设备（上海）股份有限公司 第三届董事会第二次会议决议公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 二、董事会会议审议情况 会议经全体参会董事表决，形成决议如下： （一）审议通过《关于公司 2024 年年度报告及摘要的议案》 根据《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 2 号——年度报告的 内容与格式（2021 年修订）》《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 15 号— —财务报告的一般规定（20 ...

中微半导体设备（上海）股份有限公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称"公司"）董事会薪酬 与考核委员会依据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"） 《中华人民共和国证券法》（以下简称"《证券法》"）《上市公司股权激励 管理办法》（2025 修正）（以下简称"《管理办法》"）《上海证券交易所科 创板股票上市规则》（以下简称"《上市规则》"）等相关法律、法规及规范 性文件和《中微半导体设备（上海）股份有限公司章程》（以下简称"《公司 章程》"）的有关规定，对公司《2025 年限制性股票激励计划（草案）》（以 下简称"《激励计划（草案）》"）进行了核查，发表核查意见如下： 1．公司不存在《管理办法》等法律、法规规定的禁止实施股权激励计划的 情形，包括：（1）最近一个会计年度财务会计报告被注册会计师出具否定意见 或者无法表示意见的审计报告；（2）最近一个会计年度财务报告内部控制被注 册会计师出具否定意见或无法表示意见的审计报告；（3）上市后最近 36 个月 内出现过未按法律法规、公司章程、公开承诺进行利润分配的情形；（4）法律 法规规定不得实行股权激励的；（5）中国证监会认定的其他情形。公司具备 ...

证券代码：688012 证券简称：中微公司 公告编号：2025-012 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2024 年年度利润分配方案公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示： 每股分配比例：每10股派发现金红利人民币3.00元（含税），不送红股， 不进行公积金转增股本。 本次利润分配以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣除公司回购专 户的股份余额为基数，具体日期将在权益分派实施公告中明确。 如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生 变动的，公司拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体 调整情况。 公司未触及《上海证券交易所科创板股票上市规则》（以下简称"《科 创板股票上市规则》"）第12.9.1条第一款第（八）项规定的可能被实施其他风 险警示的情形。 一、利润分配方案内容 （一）利润分配方案的具体内容 经普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）审计确认，中微半导体设备 （上海）股份有限公司（以下简称"中微公司"或"公司"）2024 年度实现归属 于上市公 ...

财务数据关键指标变化 - 2024年研发总投入24.52亿元，较2023年增加94.31%，占营业收入比例约27%，高于科创板上市公司平均水平[6] - 2024年实现营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73% [8] - 过去13年营业收入年均增长大于35%，近四年年均增长大于40% [8] - 2024年公司实现营业收入90.65亿元，同比增长23.60%；归母扣非净利润13.46亿元，同比增长16.51%[44] - 2024年研发投入74.52亿元，同比增长94.31%[46] - 2024年营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73%[85][87] - 2024年归属于上市公司股东的净利润为16.16亿元，较2023年减少9.53%[85] - 2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为13.88亿元，较2023年增长16.51%[85] - 2024年末归属于上市公司股东的净资产为197.37亿元，较2023年末增长10.72%[85] - 2024年末总资产为262.18亿元，较2023年末增长21.80%[85] - 2024年基本每股收益为2.61元/股，较2023年减少9.69%[86] - 2024年研发投入占营业收入的比例为27.05%，较2023年增加6.90个百分点[86] - 2024年营业收入增长44.73%，毛利较去年增长约9.78亿元[88][89] - 2024年研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%[88] - 2024年研发费用14.18亿元，较去年增长约6.01亿元，同比增长约73.59%[88] - 2024年归属于母公司所有者的净利润约16.16亿元，较上年同期减少9.53%[88] - 2024年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，较上年同期增加16.51%[89] - 报告期末，公司总资产约262.18亿元，较报告期初增加21.80%；归属于母公司的所有者权益约197.37亿元，较报告期初增加10.72%[89] - 2024年第四季度营业收入35.58亿元，归属于上市公司股东的净利润7.03亿元[91] - 2024年非经常性损益合计2.28亿元，2023年为5.94亿元，2022年为2.50亿元[94] - 剔除股份支付费用影响后，2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为18.46亿元，2023年为14.94亿元[96] - 交易性金融资产当期变动为 -10.35亿元，对当期利润的影响金额为 -0.59亿元；其他非流动金融资产当期变动为5.66亿元，对当期利润的影响金额为1.63亿元[97][98] - 2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%[113] 各条业务线数据关键指标变化 - 2024年刻蚀设备收入约72.77亿元，最近四年收入年均增长超50%，2024年同比增长约54.72% [8] - 2024年刻蚀设备收入约72.77亿元，薄膜沉积设备收入约1.56亿元，较2023年增长约54.72%，MOCVD设备实现首台销售，收入3.79亿元[44] - 2024年刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约54.72%[87] - 2024年MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%[87] - 2024年LPCVD设备实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元[87] - 2024年CCP刻蚀设备付运量较2023年增长逾100%，全年生产付运超过1200反应台，累计装机量超过4000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率[114] - 2024年ICP刻蚀设备在客户端累计安装数达1025个反应台，近四年年均增长大于100%[119] - PrimoNanova（单台机）反应台2024年实现年增长率超过120%，PrimoTwin - Star（双台机）累计安装反应台2024年增长率超过70%[53] 生产基地相关情况 - 上海临港新片区18万平米基地2024年量产，生产总值约85亿元；南昌高新区14万平米基地2024年生产总值约61亿元 [9] - 公司位于南昌约14万平方米、上海临港约18万平方米的生产和研发基地已投入使用，上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心正在建设[109] - 南昌约14万平方米生产和研发基地于2023年7月投入使用，上海临港约18万平方米生产和研发基地于2024年8月投入使用，临港约10万平方米总部大楼暨研发中心在建[138] 产品技术指标 - CCP和ICP刻蚀机可覆盖国内95%以上刻蚀应用需求，CCP双台机近600个反应台在国际先进逻辑产线量产 [10] - ICP双台机刻蚀精度达每分钟0.2A（0.02纳米），200片晶圆重复性测试中两反应台刻蚀速度差别每分钟小于1.5埃 [10] - 公司开发的CCP和ICP两大类刻蚀设备可覆盖大多数刻蚀应用，等离子体刻蚀设备用于65纳米到5纳米及更先进工艺[36] - 用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已量产，在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场领先[36] - 公司CCP电容性刻蚀机有3个双台反应器和6个单台反应器系统，300 +反应台进入国际5纳米及以下生产线，4000 +反应台在线生产[55] - 公司ICP双台机Primo Twin - Star®刻蚀速度控制最好精度达每分钟0.2A（0.02纳米，即20皮米），200片晶圆重复性测试中两反应台刻蚀速度差别每分钟小于1.5埃[181] 市场规模与行业趋势 - 全球半导体量检测设备市场规模从2016年47.6亿美元增至2023年128.3亿美元，CAGR为15.2% [12] - 全球集成电路和光电子器件销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上[173] - 晶圆制造设备市场规模约占集成电路设备整体市场规模的80%[174] - 全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%[174] - 氮化镓功率器件市场规模预计将从2023年的2.6亿美金增长到2029年超20.1亿美金，复合年均增长率达41%[177] - 碳化硅功率器件2029年市场规模将达104亿美金，2023 - 2029年复合年均增长率超25%[179] - 量检测设备市场已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类[104] - 全球半导体量检测设备市场规模从2016年的47.6亿美元增长至2023年的128.3亿美元，CAGR为15.2%，占总设备市场约13% [184] 公司运营与管理 - 过去13年员工人数年均增长22%，2024年人均销售超400万元 [8] - 公司在全球开发超800家供应厂商[13] - 公司坚持“三维立体发展”战略[16] - 公司坚持“五个十大”企业文化，推进三维发展战略，在多领域取得进展[39] - 全球员工数量2480人，研发人员1190人，占比47.98%，研发人员中硕士、博士研究生占比54.71%[54] - 2024年向员工授予880万股限制性股票，员工参与培训总时长103390小时，培训覆盖率100%[54] - 2025年初公司录取110多位新院校毕业生[15] - 公司有15个区域办公室，6个境外子公司，厂房和办公楼总面积将达约45万平米[59] - 公司建立动态协调机制保障供应，建立高效库存管控体系，推进智能工厂项目和精益管理，产品质量缺陷数量逐年下降[139] - 公司主要采取自主研发模式，研发流程包括概念与可行性、Alpha、Beta、量产阶段[168] - 公司采用以销定产模式，实行订单式生产为主，少量库存式生产为辅[171] - 公司采取直销为主的销售模式，欧洲市场通过代理商模式销售[172] - 2024年公司新入职员工869人，开展涵盖六大学习版块的培训交流[144] 公司荣誉与奖项 - 2024年公司获得第二十五届中国专利奖银奖、福布斯中国创新力企业50强、2024中国ESG50等殊荣[15] - 2024年公司总结科创企业发展的“五个十大”[14] - 拥有100多个知名荣誉奖项[39] - 2024年公司获得金桥开发区“科研投入成就奖”等多项殊荣，营运效率提高，设备交付按时率高，物料成本控制达标[140] - 2025年1月9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利获第二十五届中国专利奖银奖，至此公司获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖[143] - 报告期内公司获“2024中国上市公司英华奖A股价值奖”等多个奖项，重视内幕交易防范[148] 公司投资情况 - 公司上市以来投资30多家产业链上下游企业，投资20多亿，实现浮盈50多亿[16] - 公司参股投资的8家公司已完成A股挂牌上市[16] - 2024年度公司新发起设立超微公司，参股投资的珂玛科技、先锋精科完成A股挂牌上市[146] 公司产品应用与市场地位 - 公司在全球氮化傢基LED照明所需MOCVD设备市场市占率达80%以上[13] - 部分产品市占率全球排名第一[39] - 在美国TechInsights近五年全球半导体设备客户满意度调查中，公司三次总评分第三，薄膜设备三次被评为第一[36] - 公司刻蚀设备应用于全球先进的5纳米及以下集成电路加工制造生产线，超300台反应台在生产线合格运转[181] - 2024年公司CCP和ICP刻蚀设备销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升[181] - 公司自2017年起成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商[182] 公司专利情况 - 申请专利2900多项[41] - 报告期内公司新增专利申请359项，其中发明专利263项，实用新型专利84项，外观设计专利12项；截至2024年12月，已申请2910项专利，发明专利占比83.30%，已获授权专利1781项[143] 公司分红情况 - 公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税），截止2024年12月31日，总股本622,363,735股，扣除回购专户股份余额2,096,273股后为620,267,462股，合计拟派发现金红利186,080,238.60元（含税）[68] 公司审计与合规情况 - 普华永道中天会计师事务所为本公司出具了标准无保留意见的审计报告[67] - 公司全体董事出席董事会会议[67] - 公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人声明保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整[68] - 不存在公司治理特殊安排等重要事项[69] - 不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[70] - 不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[71] 行业技术发展趋势 - 先进芯片中已有超100亿个晶体管，从平面结构过渡到复杂三维架构[185] - 目前128层3D NAND闪存已进入大生产，200层以上闪存处于批量生产阶段，3D NAND制造要求刻蚀技术实现更高深宽比[192] - 应用于碳化硅功率器件的外延设备行业现有生产设备主要适用于6英寸碳化硅衬底，未来将过渡至8英寸[196] - 主流的逻辑和存储芯片接触孔或连线关键尺寸小、深宽比高，原子层沉积的氮化钛逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层主要选择[197] - 3D NAND堆叠层数增加使阶梯接触孔深宽比达40：1到60：1以上[198] - 先进逻辑器件工艺节点向5纳米及更先进工艺发展[200] - 90纳米到28纳米传统工艺节点降低接触孔电阻关键是降低钨膜电阻率[200] - 14纳米及更先进工艺节点金属阻挡层、形核层对接触孔阻值影响更明显[200] - 从28nm技术节点开始金属栅极成为先进逻辑器件重要基础[200] 公司产品进展 - 2024年Primo UD - RIE实现规模量产，Primo SD - RIE进入28纳米以下逻辑生产线验证，PrimoHD - RIE - e获得先进存储客户批量订单[53] - 公司CCP刻蚀设备中双反应台Primo D - RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户生产线[114] - 具有动态可调电极间距功能的双反应台Primo SD - RIE进入先进逻辑生产线验证关键工艺[114] - 用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD - RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD - RIE实现规模付运[114] - 公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机Primo SD - RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已通过[116] - 公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的Primo UD - RIE已在先进存储器件生产线的超高深宽比刻蚀工艺中大规模应用[118] - 公司推出Nanova LUX - WT和Nanova LUX - Cryo两种ICP设备，Nanova LUX - WT已量产，Nanova LUX - Cryo在认证中[121] - Primo Twin - Star在特色器件产线实现量产并取得重复订单[121] - Primo TSV 300E在12英寸3D芯片硅通孔刻蚀工艺验证成功，拓展新市场[122] - 2023年底付运Micro - LED应用设备样机Preciomo Udx，报告期内验证顺利[126] - 氮化镓功率器件MOCVD设备PRISMO PD5交付验证

中微公司：2024年净利润16.16亿元，同比下降9.53% 拟10派3元 金十数据4月17日讯，中微公司公告，2024年营业收入为90.65亿元，同比增长44.73%。归属于上市公司 股东的净利润16.16亿元，同比下降9.53%。拟向全体股东每10股派发现金红利3元(含税)。 订阅A股市场资讯 +订阅 ...

报告公司投资评级 - 首次覆盖中微公司，给予“买入”评级 [3] 报告的核心观点 - 中微公司作为国产高端装备平台领军者，以刻蚀设备、MOCVD 设备为基础，向薄膜沉积设备、量检测设备等拓展，凭借技术优势和高研发转换效率，营收业绩稳健增长，在半导体设备市场国产替代加速渗透背景下，未来发展前景良好 [1] 根据相关目录分别进行总结 深耕半导体高端制造装备，打造平台型龙头 - 二十余年砥砺前行，成就刻蚀设备 + MOCVD 设备龙头：中微公司成立于 2004 年，由 MOCVD 和刻蚀设备起步，拓展至薄膜沉积及其他设备领域，等离子体刻蚀设备和 MOCVD 设备达到国际先进水平，截止 2024 年年中，累计有 5164 台等离子刻蚀和化学薄膜反应台实现量产和重复销售 [12][13] - 核心团队产业经验深厚，股权激励彰显长期发展信心：公司董事长尹志尧博士有近 40 年半导体行业经验，其他高管也具备丰厚产业经验；公司无实际控股人，实行全员股权激励，有助于吸引人才，提升团队凝聚力 [19][21][23] - 业绩高速增长，持续研发保驾护航：2023 年营收 62.64 亿元，归母净利润 17.86 亿元；2024 年营收约 90.65 亿元，归母净利润 16.26 亿元；盈利水平上升，费率水平优化；刻蚀设备营收高增，MOCVD 设备营收下降；公司加大研发投入，在手订单饱满 [24][26][39] - 兼顾外延性发展，全球化多领域布局：公司积极对外投资，布局量检测设备和零部件领域，推动零部件国产化；生产基地建设进展顺利；将在临港投资 10 亿元建设量检测设备研发制造基地 [43][44][46] 半导体设备市场空间广阔，国产替代加速渗透 - 刻蚀设备：国内厂商产品覆盖度稳步提升：刻蚀是半导体图案化核心工艺，主要采用干法刻蚀；全球刻蚀机市场被海外企业垄断，国内北方华创、中微公司等具竞争力；先进芯片制程发展使刻蚀技术重要性提升 [58][61][71] - 刻蚀设备国内领先，瞄准国内科技前沿：中微公司刻蚀设备市占率大幅提升，技术行业领先，覆盖绝大多数刻蚀应用；CCP 和 ICP 刻蚀设备进展良好，单双反应台并举强化优势；具备超高深宽比刻蚀能力，积极布局技术革新；Primo SD - RIE 进展顺利，TSV 新工艺验证成功；芯片制程升级有望提升工艺覆盖率，拓展应用领域 [75][79][86] 薄膜设备需求提升，市场规模持续扩大 - 薄膜沉积设备：芯片制造三大核心设备之一：薄膜沉积设备按工艺原理分为 PVD、CVD 和 ALD，负责介质层与金属层沉积 [97] - 薄膜设备技术水平先进，持续研发新品层出：中微公司推进多款薄膜沉积设备研发，2024 年中实现六种设备研发交付及量产验证，LPCVD 薄膜设备进入市场并获订单 [3] - MOCVD 设备国际领先，紧跟行业前沿研发进展顺利：公司 MOCVD 设备在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场领先，开发的 PRISMO UniMax 等产品受认可，正开发下一代用于氮化镓功率器件制造的新型设备 [17] 盈利预测及投资建议 - 预计公司 2025/2026 年营收 120.7/158.0 亿元，归母净利润 25.5/35.6 亿元，毛利率 42.9%/43.9%，对应 PE 为 49/35x，具备估值优势 [3]

公司整体财务数据关键指标变化 - 2024年公司营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73%[1][5][8][11] - 2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占营业收入比例约为27.05%[2][9] - 2024年归属于母公司所有者的净利润约16.26亿元，较上年同期减少8.93%[5][9] - 2024年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，较上年同期增加16.52%[2][5][10] - 报告期末公司总资产约262.29亿元，较报告期初增加21.85%；归属于母公司的所有者权益约197.49亿元，较报告期初增加10.79%[5][10] - 公司过去13年营业收入年均增长大于35%，最近四年年均增长大于40%[1] 各条业务线数据关键指标变化 - 2024年刻蚀设备收入约72.77亿元，同比增长约54.73%；MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%；LPCVD设备全年销售约1.56亿元[8][11] - 刻蚀设备最近四年收入年均增长超过50%[1] 公司人员与生产相关情况 - 公司员工人数过去13年年均增长22%，2024年人均销售超过400万元[2] - LPCVD薄膜设备累计出货量已突破150个反应台，EPI设备已进入客户端量产验证阶段[11] - 公司南昌约14万平方米和上海临港约18万平方米的生产和研发基地已投入使用[11]

报告公司投资评级 - 买入（首次） [1] 报告的核心观点 - 中微公司是国产半导体设备领军企业，营收规模高增，核心产品竞争力强，受益于半导体行业发展趋势和自主可控机遇，通过内生外延完善业务布局，具备长期发展动力，首次覆盖给予“买入”评级 [1][2][3][4] 根据相关目录分别进行总结 国产半导体设备领军企业，营收规模实现高增 - 中微公司是国内领先、国际知名的高端半导体微观加工设备公司，产品覆盖多领域，刻蚀和MOCVD技术领先，薄膜类设备进展顺利 [17][18] - 公司无实际控制人，上海国资委和大基金为前两大股东，核心技术团队经验丰富 [20][23] - 2019 - 2023年公司营收规模CAGR达33.93%，刻蚀设备贡献主要收入，2024年上半年营收同比增长36.46% [24] - 2019 - 2023年归母净利润CAGR达75.43%，2024年前三季度归母净利润同比减少21.28%，毛利率为42.22% [26] - 公司持续加大研发投入，2023年研发费用支出8.17亿元，同比增长34.91%，截至2024年上半年研发人员占比46.38% [28] - 2024Q3末存货金额78.2亿元，同比+91.18%，合同负债29.88亿元，同比+118.82%，新增订单76.4亿元，同比增长约52.0% [30] 半导体发展趋势向好+自主可控提速，国产设备迎发展机遇 - 2024年半导体产业周期触底回升，AI需求带动全球半导体市场需求回暖，WSTS预计2024年全球半导体销售额同比增长16.0%，2025年同比增长12.5% [33] - SEMI预测2024年全球半导体设备市场达1090亿美元，同比增长3.4%，2025年达1280亿美元新高，中国设备市场规模领先，预计2024年销售额达350亿美元 [38][39] - 晶圆前道设备投资价值占比超80%，光刻、刻蚀和薄膜沉积是三大核心工艺，对应设备投资额占比约36% [42] - 干法刻蚀是主流，市场份额约90%，2024年全球刻蚀设备市场规模预计238亿美元，预计2029年增长至343.2亿美元，CAGR=7.60% [46][52] - 薄膜沉积设备分CVD、PVD、ALD三类，2017 - 2022年全球市场规模CAGR=13.26%，预计2029年达559亿美元 [54][58] - 芯片制程升级和3D结构发展带动刻蚀、薄膜设备需求增长，2013 - 2023年干法刻蚀和化学薄膜设备CAGR分别为15.34%和14.47% [62] - 先进制程使刻蚀和薄膜加工步骤增加，3D NAND堆叠层数增加催生相关设备需求 [63][66] - 全球半导体设备市场集中，中国本土厂商市占率低，多项设备国产化率不足30%，但国产化进程不断推进 [71][72] - 美日荷联合对华实施出口管制，中国晶圆厂或加快国产设备验证进程，渗透率有望提升 [75] - 国家出台多项政策支持半导体产业，大基金三期重点投向集成电路全产业链 [78] 内生外延打通多元产品布局，夯实企业竞争力 - 公司践行三维发展战略，强化核心业务内生成长，通过投资拓展产品品类和应用领域布局，现覆盖约33%集成电路关键领域设备，预计未来5 - 10年覆盖50% - 60% [83][84] - 公司刻蚀设备技术领先，开发15种三代机型，覆盖约95%刻蚀应用需求，产品获主流客户认可，CCP和ICP付运量持续提升 [86][90] - CCP刻蚀设备在大马士革和极高深宽比刻蚀工艺验证顺利，ICP刻蚀设备工艺覆盖度完善，多款产品在产线验证顺利 [92][98] - 公司开发多款薄膜沉积设备，6种设备已通过客户量产验证，LPCVD新增订单3.0亿元，规划多款产品研发项目 [102][104]